2.1.2 工艺技术

设计电路工艺技术概要如表2-1所示。使用硅栅等平面工艺，制程用P-Well CMOS（A）来表示。

根据P-Well CMOS（A）电路电气特性要求，确定用于芯片制造的基本参数，如表2-1所示。在芯片制造工艺中，一是要确保工艺参数、电学参数都达到规范值，二是批量生产中要确保芯片具有高成品率、高性能及高可靠性。根据电路电气特性的指标，对下列参数提出严格要求。

（1）工艺参数：如各种杂质浓度及其分布、结深、栅氧化层/介质层厚度等。

（2）电学参数：薄层电阻、源漏击穿电压、阈值电压等。

（3）硅衬底材料电阻率等。

芯片制造是由各工步所组成的工序来实现的，需要制定出各工序具体的工艺条件，以保证达到所要求的各种参数的规范值。

从芯片工艺制程的最初阶段开始，就要对各工序进行严格的工艺监控与检测，并制定出该工序的材料质量和参数规范。如果该工序质量和参数未达到规范要求，偏离数值很大，则应返工；若不能返工，就要做报废处理。工艺线上须进行严格工艺监控与检测，以便使工艺参数和电学参数都达到规范值，生产出高质量芯片。

从制程剖面结构图（图2-2）中可以看出，需要进行10次光刻。