2.1 P-Well CMOS（A）_CMOS芯片结构与制造技术-QQ阅读男生科幻网

书名：CMOS芯片结构与制造技术
作者名：潘桂忠编著
本章字数：333字
更新时间：2022-05-05 20:08:37

2.1 P-Well CMOS（A）

电路采用3μm设计规则，使用P-Well CMOS（A）制造技术。该电路典型元器件、制造技术及主要参数如表2-1所示。制程完成后，在硅衬底上形成CMOS芯片中的各种元器件，并使之互连，实现所设计电路，该电路或各层版图已变换为缩小的各层平面和剖面结构图形的芯片。如果所得到的工艺参数与电学参数都满足设计电路的要求，则芯片功能和电气性能都能达到设计指标。

表2-1 工艺技术和芯片中主要元器件

*表中参数：衬底电阻率为ρ，阱深/薄层电阻分别为X_jPW/R_SPW，场氧化层/栅氧化层/Poly氧化层厚度分别为T_F-Ox/T_G-Ox/T_Poly-Ox，N+区薄层电阻/结深分别为R_SN+/X_jN+，P+区薄层电阻/结深分别为R_SP+/X_jP+，源漏击穿电压分别为BU_DSN/BU_DSP，N沟道/P沟道的有效沟道长度分别为L_effn/L_effp，铝层厚度为T_Al，NMOS/PMOS阈值电压分别为U_TN/U_TP，N场、P场阈值电压分别为U_TFN/U_TFP，NMOS/PMOS的跨导分别为g_n/g_p，PN结漏电流为I_LPN。