4.1.3 应变诱导Nb3Sn超导体临界性能弱化的基本理论

• 书名：磁体用Nb3Sn超导体临界性能：微结构理论与多尺度多物理场模拟
• 作者名：乔力
• 本章字数：4226字
• 更新时间：2024-11-01 20:59:18