- CMOS芯片结构与制造技术
- 潘桂忠编著
- 320字
- 2022-05-05 20:08:51
2.8.1 芯片剖面结构
应用芯片结构技术(参见附录B-[21]),使用计算机和它所提供的软件,可以得到芯片剖面结构。首先在设计电路中找出各种典型元器件:NMOS、PMOS、N-Well电阻及Poly电阻。然后对这些元器件进行剖面结构设计,分别如图2-15中的、、、所示(不要把它们看作连接在一起)。最后排列并拼接这些元器件,构成HV N-Well CMOS芯片剖面结构,图2-15(a)为其示意图。以该结构为基础,消去N-Well电阻,引入Cf场区电容,得到如图2-15(b)所示的另一种结构。如果引入不同于图2-15中的单个或多个元器件结构,或消去其中单个或多个元器件结构,或对其中元器件结构进行改变,则可得到多种不同的结构。选用其中与设计电路相联系的一种结构。下面仅对图2-15(a)所示结构进行说明。
图2-15 HV N-Well CMOS电路芯片剖面结构示意图(参阅附录B-[2])