2.7.1 芯片剖面结构

应用芯片结构技术（参见附录B-[21]），可以得到N-Well CMOS（C）芯片典型剖面结构。首先在电路中找出各种典型元器件：NMOS、PMOS、耗尽型NMOS、Poly2电阻及Cf场区电容，然后进行剖面结构设计，分别如图2-13中的、、、、、所示（不要把它们看作连接在一起）。最后由它们组成N-Well CMOS（C）芯片剖面结构，图2-13（a）为其示意图。以该结构为基础，消去Cs衬底电容和N-Well电阻，引入耗尽型NMOS，得到如图2-13（b）所示的另一种结构。如果引入不同于图2-13中的单个或多个元器件结构，或消去其中单个或多个元器件结构，或对其中元器件结构进行改变，则可得到多种不同的结构。选用其中与设计电路相联系的一种结构。下面仅对图2-13（a）所示结构进行说明。

图2-13 N-Well CMOS（C）电路芯片剖面结构示意图（参阅附录B-[2]）