2.5 N-Well CMOS（A）

电路采用3μm设计规则，使用N-Well CMOS（A）制造技术。该电路典型元器件、制造技术及主要参数如表2-5所示。制程完成后，在硅衬底上形成CMOS芯片中的各种元器件，并使之互连，实现所设计电路，该电路或各层版图已变换为缩小的各层平面和剖面结构图形的芯片。如果得到的工艺参数与电学参数都符合所设计电路的要求，则芯片功能和电气性能都能达到设计指标。

表2-5 工艺技术和芯片中主要元器件

*表中参数：NW阱深/薄层电阻为X_JNW/R_SNW，其他各参数符号与前面各表相同。