2.4.1 芯片剖面结构

应用芯片结构技术（参见附录B-[21]），使用计算机和相应的软件，可以得到芯片剖面结构。首先在设计电路中找出各种典型元器件：NMOS、PMOS、P-Well电阻及 Cs衬底电容。然后对这些元器件进行剖面结构设计，分别如图2-7中的、、、所示（不要把它们看作连接在一起）。最后排列并拼接这些元器件，构成HV P-Well CMOS芯片剖面结构，图2-7（a）为其示意图。以该结构为基础，消去P-Well电阻和Cs衬底电容，引入Cf场区电容、Poly电阻及耗尽型NMOS，得到如图2-7（b）所示的另一种结构。如果引入不同于图2-7中的单个或多个元器件结构，或消去其中单个或多个元器件结构，或对其中元器件结构进行改变，则可得到多种不同的结构。选用其中与设计电路相联系的一种结构。下面仅对图2-7（a）所示结构进行说明。

图2-7 HV P-Well CMOS电路芯片剖面结构示意图（参阅附录B-[2]）